Intel revoluciona los transistores con una nueva estructura en 3D

Intel revoluciona los transistores con una nueva estructura en tres dimensiones, llamada Tri-Gate, ahorrando energía y obteniendo ganancias en el desempeño de hasta un 37% más. Se comenzarán a fabricar a fines de 2011 en el nodo de 22 nanómetros en un chip de la compañía con nombre código Ivy Bridge.

Asimismo, permitirán operar a un bajo voltaje de salida con una menor pérdida y representan un cambio en relación a la estructura plana de dos dimensiones, que hasta ahora fue la tecnología usada en computadoras, celulares, electrónica de consumo, naves espaciales, electrodomésticos y dispositivos médicos.

El presidente y CEO de Intel, Paul Otellini, sostuvo que los nuevos transistores 3D le ayudarán a la compañía a reducir drásticamente el consumo de energía y los costos, además de mantener el aumento del desempeño. “Esto permitirá productos sobresalientes, que irán desde dispositivos de mano móviles muy pequeños a las supercomputadoras más rápidas del mundo", dijo.

Por su parte, Mark Bohr, senior fellow de la empresa, señaló que los beneficios no serán solo en términos de bajo voltaje, sino que darán la flexibilidad necesaria para volver los equipos actuales más inteligentes y producir otros nuevos. “Creemos que este avance extenderá el liderazgo de Intel aún más con relación al resto de la industria de los semiconductores", agregó.

Más información: www.intel.com.