AMD e IBM realizaron innovaciones sobre silicio rígido
14 de Diciembre de 2004AMD e IBM anunciaron una nueva tecnología de transistores de silicio rígido para mejorar el desempeño y la economía de los procesadores. Este nuevo proceso incrementa la velocidad del transistor en un 24 por ciento, con los mismos niveles de energía, en comparación con transistores equivalentes fabricados sin esta tecnología.
Los transistores más veloces y económicos son la base de procesadores de mayor rendimiento y más ahorradores. A medida que los transistores se vuelven más pequeños, operan con mayor rapidez, pero corren el riesgo de necesitar más energía y calor debido al escape del flujo eléctrico o a una conmutación ineficiente. El silicio rígido, desarrollado conjuntamente por AMD e IBM, ayuda a superar estos problemas.
"Las innovadoras tecnologías de procesamiento, tales como el silicio rígido, permiten a AMD brindar mayor valor a nuestros clientes", dijo Dirk Meyer, Vicepresidente Ejecutivo del Grupo de Productos de Cómputo de AMD. "Nuestro progreso común en el desarrollo de nuevas tecnologías de silicio permiten a AMD brindar el mejor rendimiento por vatio, y se espera que el silicio rígido expanda esta ventaja cuando a mediados de 2005 empecemos a enviar el procesador de doble núcleo AMD Opteron(tm)".
El fabricante de procesadores planea integrar gradualmente la nueva tecnología del silicio rígido en todas sus plataformas de procesadores de 90nm, incluyendo sus futuros procesadores AMD64 multinúcleos. Por su parte, IBM proyecta lanzar la tecnología en plataformas de múltiples procesadores de 90nm, incluyendo sus chips de Arquitectura de Energía, con sus primeros productos para estar disponibles en el primer semestre de 2005.
El nuevo proceso de silicio rígido, llamado "Revestimiento de Doble Tensión", mejora el desempeño de ambas clases de transistores de semiconductor, llamados transistores de canal n y canal p, al estirar los átomos de silicio en un solo transistor y comprimirlos en el otro. La técnica de revestimiento de doble tensión funciona sin tener que introducir nuevas y costosas técnicas de producción, lo cual permite su rápida integración a la fabricación de volumen por medio de herramientas y materiales ordinarios.
Los detalles de la innovación de Revestimiento de Doble Tensión de AMD-IBM serán discutidos en el Encuentro Internacional de Dispositivos Electrónicos de la IEEE (2004 IEEE International Electron Devices Meeting) en San Francisco, California, del 13 al 15 de diciembre de 2004.
Más información: www.amd.com.
