Samsung ya fabrica memorias NAND 10nm para SSDs

Samsung anunció que comenzó la etapa de fabricación de sus nuevas memorias NAND MLC 3-bit con capacidad de 128 Gigabit (16 Gbytes). Con tecnología de fabricación de 10nm, se tratan de los chip de con mayor densidad de la compañía. Estarán destinadas a las unidades SSD de próxima generación.

"Presentando productos de almacenamiento de próxima generación como el chip 128 Gb NAND, Samsung se sitúa especiamente bien para cubrir las crecientes necesidades globales de los clientes.", anunció Young-Hyun Jun, ejecutivo de Samsung.

"Este nuevo chip es un producto crítico en la evolución de NAND flash, uno cuya su oportuna fabricación nos permitirá incrementar nuestra competitividad en el mercado de memoria de almacenamiento de alta densidad", agregó.

Las nuevas memorias de Samsung contarán con densidad más alta de la industria, así como el nivel más alto rendimiento de la velocidad de 400 megabits por segundo con transferencia de datos basada en la alternancia interfaz DDR 2.0.

Según confirmó la compañía surcoreana en un road show, los chip NAND estarán disponibles para PCs, tablets y otros dispositivos móviles. Preparados para la próxima generación, podrán producir SSDs con tamaño de 2.5" con tamaños superiores a 550 Gbytes.

Más información: www.samsung.com.