MRAM:la memoria del futuro está cada vez más cerca
Por Gabriel Suárez 13 de Marzo de 2006Un grupo de científicos españoles, norteamericanos y franceses han dado un paso importante en lo que augura ser la tecnología de la memoria del futuro: MRam. La investigación dada a conocer por el sitio de la Universidad Autónoma de Barcelona (UAB) el pasado 28 de febrero, y publicada recientemente por el diario español El País, revela que los científicos han podido manipular los "estados vortex desplazados" lo que permitiría mejorar aún más la tecnología MRAM (Magnetic Random Access Memory) y provocaría que en el futuro el encendido y el funcionamiento de la PC sea casi instantáneo
Imagine encender su PC y no tener que esperar esos tediosos minutos para que el sistema operativo llegue a su estado de inicio, o abrir programas sin ver la transformación del cursor en el ya clásico relojito de arena. Eso es a lo que pareciera apuntar el desarrollo de la tecnología MRAM (Magnetic Random Access Memory) y el reciente descubrimiento de un grupo de científicos españoles, norteamericanos y franceses publicado en el sitio de la Universidad Autónoma de Barcelona (UAB) y anunciado el 9 de marzo pasado en el diario español El País.
Según el sitio español Universia.es "las memorias actuales SRAM (Static Random Access Memory) y DRAM (Dynamic Random Access Memory) son rápidas pero se borran cuando apagamos el ordenador (son volátiles); las memorias Flash que utilizamos para las cámaras de fotos no se borran, pero son lentas; y las memorias MRAM, todavía en estado experimental, son rápidas y no volátiles, pero su capacidad de almacenamiento no es suficientemente grande".
La novedad es precisamente que gracias a lo que los científicos llamaron "estados vortex desplazados" se podrá incrementar la capacidad de almacenamiento de los discos duros y de las memorias magnéticas MRAM en un volúmen nunca antes visto. Pero según el portal Noticias3D.com "el principal obstáculo de la MRAM desde su lanzamiento había sido competir con las velocidades de escritura de la DRAM y la densidad máxima conseguida es sólo de 16 megabits por chip", aunque se afirma que "su principal ventaja es que utiliza campos magnéticos para el procesamiento de la memoria (lo que supone un gran ahorro de energía eléctrica), con lo que no pierde datos cuando se apaga el aparato".
Mientras que el mercado de memorias se mueve, según Kingston, hacia la adopción de memorias Flash (ver nota) basadas en chips con tecnología NAND y que le ha representado al fabricante un 200% de crecimiento en 2005 de este producto, MRam se presenta como un candidato serio a la hora de competir con esta tecnología "no volátil".
Sin embargo este tipo de memoria -Flash- está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes, "aunque actualmente (08-08-2005) hay una gran división entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias", según informa Wikipedia.
Por otra parte, el gran desarrollo tecnológico que están promoviendo los fabricantes de semiconductores como Samsung y Hynix o Infineon hace que la gran capacidad de memoria emule la función de los discos rígidos actuales, provocando una confrontación entre los fabricantes de memorias Flash y RAM y los fabricantes de discos rígidos.
El auge de dispositivos como teléfonos celulares inteligentes (SmartPhones) y cámaras digitales hacen que esta pelea por el dispositivo de almacenamiento del futuro sea un hecho hoy. Fabricantes como Seagate hacen posible que en la actualidad se pueda comprar una Compact Flash Hard Drive de 8GB disputando claramente el mercado de las Compact Flash convencionales. Sin embargo, los especialistas creen que esta tecnología –que hoy presenta fabricantes como Seagate- sólo será un auge por 3 años hasta que las nuevas memorias puedan superarlos.
Más información: www.uab.es.













