La memoria de cambio de fase reemplazaría a la actual flash
18 de Diciembre de 2006Luego de una investigación realizada por IBM, junto con Macronix y Qimonda, se especula con que la memoria de cambio de fase pueda reemplazar a la tradicional memoria flash.
Es probable que dentro de poco tiempo la memoria flash sea sustituida por otra más rápida. Así lo anunciaron las empresas IBM, Macronix y Qimonda, estas últimas dedicadas al desarrollo de hardware, cuando dieron a conocer los resultados de una investigación sobre nuevas memoria de fases conmutable.
Se trata de una memoria de cambio de fase 500 veces más rápida que la actual flash y que permitirá desarrollar un hardware más potente. Al no requerir de energía eléctrica para retener la información, esta memoria del tipo no volátil, permitirá una trayectoria hacia una memoria universal para productos móviles.
"Estos resultados demuestran de manera espectacular que la memoria de cambio de fase tiene un futuro muy brillante", subrayó el doctor Tze-Chiang Chen, vicepresidente de Science & Technology de IBM Research. "Muchos esperan que la memoria flash encuentre limitaciones de escala significativas en el futuro cercano. Hoy descubrimos un nuevo material de cambio de fase que tiene alto desempeño en un volumen sumamente pequeño. Esto debería conducir por último a memorias de cambio de fase que serán muy atractivas para muchas aplicaciones", agregó.
Se trata de una aleación semiconductora compleja creada en una exhaustiva investigación conducida en el Almaden Research Center de IBM en San José, California, Estados Unidos. Fue diseñada con la ayuda de simulaciones matemáticas específicas para utilizar en celdas de memoria de cambio de fase.
Por su parte, Wilhelm Beinvogl, vicepresidente sénior de Technical Innovation, Qimonda AG, señaló: "Las tecnologías emergentes, como la memoria de cambio de fase, son elementos importantes en el desarrollo de memorias avanzadas de Qimond. Hemos demostrado el potencial de la tecnología de memorias de cambio de fase en dimensiones muy pequeñas que proyectan una trayectoria de escalabilidad. Así, las memorias de cambio de fase tienen un potencial claro para jugar un papel clave en los futuros sistemas de memoria".
Las empresas esperan presentar las cualidades técnicas esta semana, durante el encuentro denominado International Electron Devices Meeting, del Institute of Electronics and Electrical Engineers, en San Francisco.
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Más información: www.ibm.com.
