Intel dio el salto a las memorias NAND Flash de alta velocidad
11 de Febrero de 2008Esta nueva tecnología sería cinco veces más rápida que los sistemas convencionales, procesando hasta 200 megabytes por segundo para leer datos y 100 MB/s para escribirlos
Con el fin de acelerar el acceso y la transferencia de datos en dispositivos de almacenamiento de silicio, Intel y Micron Technology desarrollaron una memoria NAND Flash de alta velocidad.
Esta nueva tecnología, elaborada por IM Flash Technologies (IMFT), empresa conjunta de Intel y Micron, sería cinco veces más rápida que los sistemas convencionales, permitiendo transmisiones de información en una fracción mínima de tiempo para aplicaciones de computación, video y fotografía, entre otras.
"Micron se ha comprometido con la innovación y con la integración de nuevas características en NAND que den origen a una poderosa solución de almacenamiento de datos para los dispositivos de electrónica de consumo y de cómputo más populares de la actualidad", expresó a través de un comunicado Frankie Roohparvar, vicepresidente de Desarrollo de memorias.
Aprovechando la especificación ONFI 2.0 y una arquitectura de cuatro planos con tiempos de reloj superiores, alcanzaría velocidades de hasta 200 megabytes por segundo (MB/s) para leer datos y 100 MB/s para escribirlos.
Las memorias NAND convencionales leen información con una rapidez de 40 MB/s y escriben a 20 MB/s.
Más información: www.intel.com.
